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Optical transitions in strained Ge/Si superlattices

Schmidt, U. und Humlíček, J. und Lukes, F. und Cardona, M. und Presting, H. und Kibbel, H. und Kasper, E. und Eberl, Karl und Wegscheider, Werner und Abstreiter, Gerhard (1992) Optical transitions in strained Ge/Si superlattices. Thin Solid Films 222 (1-2), S. 246-250.

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Zusammenfassung

Band-to-band infrared absorption has been studied in a series of Sn1Gem (m=11, 15, and 21) strained layer superlattices for the first time. The absorption coefficient shows a quadratic increase with two onsets, characteristic for indirect transitions. From a numerical fit to the absorption spectra, band gap energies are determined in the energy range between 0.55 and 0.75 eV, in accordance with ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:16 Dezember 1992
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1016/0040-6090(92)90078-PDOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:26 Okt 2009 14:05
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 11:19
Dokumenten-ID:10005
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