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Properties of Sn/Ge superlattices

Olajos, Janos und Abstreiter, Gerhard und Schorer, R. und Vogl, P. und Wegscheider, Werner (1993) Properties of Sn/Ge superlattices. Semiconductor Science and Technology 8 (1S ), S. 6-8.

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Zusammenfassung

Short-period strained-layer alpha -Sn/Ge superlattices have been synthesized recently by a low temperature molecular beam epitaxy technique which allows a large variation of substrate temperature. Thin, tetragonally distorted alpha Sn layers h ave been stabilized on Ge substrates by growth conditions far way from thermal equilibrium. The fundamental bandgap of Sn/Ge superlattices is shifted towards lower energies with increasing average Sn concentration, as expected from theory.


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Dokumentenart:Artikel
Datum:1993
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1088/0268-1242/8/1S/002DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:26 Okt 2009 14:31
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 11:19
Dokumenten-ID:10018
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