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Angeregtes GaAs: Indizien für Effekte der Blochoszillation in einem natürlichen Halbleiter

URN to cite this document: urn:nbn:de:bvb:355-opus-1340

Summer, Raimund Franz (2003) Angeregtes GaAs: Indizien für Effekte der Blochoszillation in einem natürlichen Halbleiter. PhD, Universität Regensburg

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Abstract (German)

In der vorliegenden Arbeit wird ein elektrisch aktivierter Zustand von GaAs mit erhöhter elektrischer Leitfähigkeit untersucht. Dieser Zustand wird als 'angeregtes GaAs' bezeichnet. Experimentell wurde angeregtes GaAs durch Anlegen kurzer Spannungspulse an ein GaAs-Kristall erzeugt. Es entstand im Spannungspuls für Amplituden oberhalb einer Schwellenspannung und manifestierte sich in der ...


Translation of the abstract (English)

Subject of this thesis is an activated state of GaAs, which exhibits an increased electrical conductivity. This state is being referred to as 'excited GaAs'. In the experiment, excited GaAs was produced by means of applying short voltage pulses to a GaAs crystal. In a voltage pulse it was created, as soon as the voltage amplitude exceeded a certain threshold voltage, as indicated by an increase ...


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Item Type:Thesis of the University of Regensburg (PhD)
Date:9 February 2003
Referee:Karl F. (Prof. Dr.) Renk
Date of exam:16 October 2002
Institutions:Physics > Institute of Experimental and Applied Physics > Retired Professors > Group Karl F. Renk
Keywords:Halbleiter , Elektrische Leitfähigkeit , FIR , Angeregter Zustand , Bandstruktur , Blochoszillation , Leitungsband , THz-Feld , Schwellenspannung , gepulste Messung , excited state , Bloch oscillation , conductivity , pulsed measurement , THz field
Subjects:500 Science > 530 Physics
Refereed:Yes, this version has been refereed
Created at the University of Regensburg:Yes
Deposited On:26 Oct 2009 13:06
Last Modified:13 Mar 2014 11:13
Item ID:10075
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