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Der magnetische Tunneltransistor mit epitaktischer Schottkybarriere

URN to cite this document: urn:nbn:de:bvb:355-opus-5482

Hagler, Thomas (2005) Der magnetische Tunneltransistor mit epitaktischer Schottkybarriere. PhD, Universität Regensburg.

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Abstract (German)

In der vorliegenden Arbeit wird die Herstellung und Analyse von magnetischen Tunneltransistoren (MTTs) mit epitaktischer Schottkybarriere beschrieben. Das Schichtsystem, aus dem der MTT aufgebaut ist, besteht dabei aus drei Teilsystemen: Durch einen Al2O3-Tunnelkontakt werden heiße Elektronen in das System injiziert (Emitter). Im NiFe/Cu/CoFe-Spinvalve findet der spinabhängige Transport heißer ...


Translation of the abstract (English)

This work reports on fabrication and characterization of magnetic tunnel transistors (MTTs) with an epitaxial Schottky barrier. The MTT consists of three subsystems: Hot electrons are injected into the system through an Al2O3-tunnelling junction (emitter). Spin dependent transport of hot electrons takes place in the NiFe/Cu/CoFe-spin-valve (basis). Finally, the Schottky barrier between the ...


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Item type:Thesis of the University of Regensburg (PhD)
Date:12 September 2005
Referee:Günther (Prof. Dr.) Bayreuther
Date of exam:27 July 2005
Institutions:Physics > Institute of Experimental and Applied Physics > Chair Professor Back > Group Christian Back
Keywords:Magnetoelektronik , Spinwelle , Epitaxie , Schottky-Kontakt , Spintransistor , heiße Elektronen , Stoner-Anregung , Tunnelbarriere , magnetoelectronic , spin-wave , spin-injection
Dewey Decimal Classification:500 Science > 530 Physics
Refereed:Yes, this version has been refereed
Created at the University of Regensburg:Yes
Deposited on:27 Oct 2009 07:01
Last modified:13 Mar 2014 11:30
Item ID:10337
Owner only: item control page


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