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Der magnetische Tunneltransistor mit epitaktischer Schottkybarriere

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-opus-5482

Hagler, Thomas (2005) Der magnetische Tunneltransistor mit epitaktischer Schottkybarriere. Dissertation, Universität Regensburg.

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Zusammenfassung (Deutsch)

In der vorliegenden Arbeit wird die Herstellung und Analyse von magnetischen Tunneltransistoren (MTTs) mit epitaktischer Schottkybarriere beschrieben. Das Schichtsystem, aus dem der MTT aufgebaut ist, besteht dabei aus drei Teilsystemen: Durch einen Al2O3-Tunnelkontakt werden heiße Elektronen in das System injiziert (Emitter). Im NiFe/Cu/CoFe-Spinvalve findet der spinabhängige Transport heißer ...

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Übersetzung der Zusammenfassung (Englisch)

This work reports on fabrication and characterization of magnetic tunnel transistors (MTTs) with an epitaxial Schottky barrier. The MTT consists of three subsystems: Hot electrons are injected into the system through an Al2O3-tunnelling junction (emitter). Spin dependent transport of hot electrons takes place in the NiFe/Cu/CoFe-spin-valve (basis). Finally, the Schottky barrier between the ...

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Dokumentenart:Hochschulschrift der Universität Regensburg (Dissertation)
Datum:12 September 2005
Begutachter (Erstgutachter):Günther (Prof. Dr.) Bayreuther
Tag der Prüfung:27 Juli 2005
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Back > Arbeitsgruppe Christian Back
Klassifikation:
NotationArt
72.25.-bPACS
75.47.-mPACS
85.75.-dPACS
Stichwörter / Keywords:Magnetoelektronik , Spinwelle , Epitaxie , Schottky-Kontakt , Spintransistor , heiße Elektronen , Stoner-Anregung , Tunnelbarriere , magnetoelectronic , spin-wave , spin-injection
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:27 Okt 2009 07:01
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 11:30
Dokumenten-ID:10337
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