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Herstellung und Charakterisierung vollständig epitaktischer magnetischer Tunnelelemente mit Halbleiterbarriere

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-opus-5495

Dumm, Martin (2005) Herstellung und Charakterisierung vollständig epitaktischer magnetischer Tunnelelemente mit Halbleiterbarriere. Dissertation, Universität Regensburg.

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Zusammenfassung (Deutsch)

Im Rahmen dieser Arbeit sollte getestet werden, ob vollständig einkristalline Tunnelmagnetowiderstandselemente mit einer Halbleiterbarriere und ausreichend scharfen Grenzflächen durch epitaktische Schichtabscheidung hergestellt werden können. Die Schwerpunkte waren dabei das Wachstum und die laterale Strukturierung des Schichtsystems, das Umschaltverhalten der beiden magnetischen Schichten und ...

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Übersetzung der Zusammenfassung (Englisch)

Within this Ph.D thesis it should be investigated, if single crystal tunnel-magneto-resistance-elements with sharp interfaces can fabricated by epitaxial growth of the metals and the semiconductor. The main focus was set on the growth and the lateral patterning of the film system, the switching of the two magnetic layers and the transport measurements, which finally show a magneto-resistance ...

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Dokumentenart:Hochschulschrift der Universität Regensburg (Dissertation)
Datum:12 September 2005
Begutachter (Erstgutachter):Guenther (Prof. Dr.) Bayreuther
Tag der Prüfung:21 Juli 2005
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Back > Arbeitsgruppe Christian Back
Stichwörter / Keywords:Tunneleffekt , Halbleiterschicht , Zinkselenid , Magnetowiderstand , Magnetische Anisotropie , Magnetisches Tunnelelement , Tunnelmagnetowiderstand , , semiconductor barrier , magneto-resistance , ZnSe , magnetic anisotropy
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:27 Okt 2009 07:01
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 11:30
Dokumenten-ID:10339
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