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Herstellung und Charakterisierung vollständig epitaktischer magnetischer Tunnelelemente mit Halbleiterbarriere

URN to cite this document: urn:nbn:de:bvb:355-opus-5495

Dumm, Martin (2005) Herstellung und Charakterisierung vollständig epitaktischer magnetischer Tunnelelemente mit Halbleiterbarriere. PhD, Universität Regensburg

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Abstract (German)

Im Rahmen dieser Arbeit sollte getestet werden, ob vollständig einkristalline Tunnelmagnetowiderstandselemente mit einer Halbleiterbarriere und ausreichend scharfen Grenzflächen durch epitaktische Schichtabscheidung hergestellt werden können. Die Schwerpunkte waren dabei das Wachstum und die laterale Strukturierung des Schichtsystems, das Umschaltverhalten der beiden magnetischen Schichten und ...

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Translation of the abstract (English)

Within this Ph.D thesis it should be investigated, if single crystal tunnel-magneto-resistance-elements with sharp interfaces can fabricated by epitaxial growth of the metals and the semiconductor. The main focus was set on the growth and the lateral patterning of the film system, the switching of the two magnetic layers and the transport measurements, which finally show a magneto-resistance ...

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Item Type:Thesis of the University of Regensburg (PhD)
Date:12 September 2005
Referee:Guenther (Prof. Dr.) Bayreuther
Date of exam:21 July 2005
Institutions:Physics > Institute of Experimental and Applied Physics > Chair Professor Back > Group Christian Back
Keywords:Tunneleffekt , Halbleiterschicht , Zinkselenid , Magnetowiderstand , Magnetische Anisotropie , Magnetisches Tunnelelement , Tunnelmagnetowiderstand , , semiconductor barrier , magneto-resistance , ZnSe , magnetic anisotropy
Subjects:500 Science > 530 Physics
Status:Published
Refereed:Yes, this version has been refereed
Created at the University of Regensburg:Yes
Owner: Universitätsbibliothek Regensburg
Deposited On:27 Oct 2009 07:01
Last Modified:13 Mar 2014 11:30
Item ID:10339
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