Startseite UR

Current injection GaAs/AlGaAs quantum wire lasers fabricated by cleaved edge overgrowth

Wegscheider, Werner und Pfeiffer, Loren und West, Kenneth und Leibenguth, Ronald E. (1994) Current injection GaAs/AlGaAs quantum wire lasers fabricated by cleaved edge overgrowth. Applied Physics Letters 65 (20), S. 2510-2512.

[img]PDF
Download (224kB) - Nur für Mitarbeiter des Archivs

Zum Artikel beim Verlag (über DOI)


Zusammenfassung

We report the operation of quantum wire (QWR) semiconductor diode lasers fabricated by cleaved edge overgrowth. The active region in these index guided lasers consists of 15 QWRs formed at the right angle intersection of 15 [001] oriented quantum wells (QWs) each 7 nm wide, with a single 7-nm-wide QW grown along the [110] direction. Doping with Be and Si in the two orthogonal growth directions ...

plus


Bibliographische Daten exportieren



Dokumentenart:Artikel
Datum:14 November 1994
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1063/1.112619DOI
Verwandte URLs:
URLURL Typ
http://link.aip.org/link/?APPLAB/65/2510/1Verlag
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:02 Nov 2009 13:17
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 11:58
Dokumenten-ID:10833
Nur für Besitzer und Autoren: Kontrollseite des Eintrags

Downloads

Downloads im Monat während des letzten Jahres

  1. Universität

Universitätsbibliothek

Publikationsserver

Kontakt:

Publizieren: oa@ur.de

Dissertationen: dissertationen@ur.de

Forschungsdaten: daten@ur.de

Ansprechpartner