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Separately contacted electron-hole double layer in a GaAs/AlxGa1−xAs heterostructure

Kane, B. E. und Eisenstein, J. P. und Wegscheider, Werner und Pfeiffer, Loren N. und West, Kenneth W. (1994) Separately contacted electron-hole double layer in a GaAs/AlxGa1−xAs heterostructure. Applied Physics Letters 65 (25), S. 3266-3268.

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Zusammenfassung

We describe a method for creating closely spaced parallel two-dimensional electron and hole gases confined in 200 Å GaAs wells separated by a 200 Å wide AlxGa1−xAs barrier. Low-temperature ohmic contacts are made to both the electrons and holes, whose densities are individually adjustable between 1010/cm2 to greater than 1011/cm2.


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Dokumentenart:Artikel
Datum:19 Dezember 1994
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1063/1.112432DOI
Verwandte URLs:
URLURL Typ
http://link.aip.org/link/?APPLAB/65/3266/1Verlag
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:02 Nov 2009 13:19
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 11:58
Dokumenten-ID:10834
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