Startseite UR

GaAs/AlGaAs quantum wire lasers fabricated by cleaved edge overgrowth

Wegscheider, Werner und Pfeiffer, Loren N. und West, Kenneth W. und Pinczuk, A. und Dignam, M. M. und Hull, R. und Leibenguth, R. E. (1995) GaAs/AlGaAs quantum wire lasers fabricated by cleaved edge overgrowth. Journal of Crystal Growth 150 (1), S. 285-292.

[img]PDF
Download (760kB) - Nur für Mitarbeiter des Archivs

Zum Artikel beim Verlag (über DOI)


Zusammenfassung

We have used the molecular beam growth technique which we call “cleaved edge overgrowth” to fabricate quantum wire lasers, in which 1D quantum confinement is entirely defined by the growth process. The active region of our lasers consists of atomically precise quantum wires that form at the T-shaped intersections of 7 nm wide GaAs quantum wells grown along the [001] crystal axis and after an in ...

plus


Bibliographische Daten exportieren



Dokumentenart:Artikel
Datum:1 Mai 1995
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1016/0022-0248(95)80222-XDOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:02 Nov 2009 14:09
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 11:59
Dokumenten-ID:10835
Nur für Besitzer und Autoren: Kontrollseite des Eintrags

Downloads

Downloads im Monat während des letzten Jahres

  1. Universität

Universitätsbibliothek

Publikationsserver

Kontakt:

Publizieren: oa@ur.de

Dissertationen: dissertationen@ur.de

Forschungsdaten: daten@ur.de

Ansprechpartner