Startseite UR

Single-electron transistor fabricated by focused laser beam-induced doping of a GaAs/AlGaAs heterostructure

DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
10.5283/epub.10837
Baumgartner, P. ; Wegscheider, Werner ; Bichler, Max ; Schedelbeck, G. ; Neumann, Richard ; Abstreiter, Gerhard
[img]PDF
(110kB) - Nur für Mitarbeiter des Archivs
Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 02 Nov 2009 13:20


Zusammenfassung

A single-electron transistor has been fabricated by an optical fabrication method. A small dot, a source and drain reservoir, and in-plane gates are all built from the two-dimensional electron gas of an n-type GaAs/AlGaAs heterostructure. Laser-written p-doped lines are used to define this dot with a diameter of about 70 nm and to insulate it from the in-plane gates. Tunnel junctions connect the ...

plus


Nur für Besitzer und Autoren: Kontrollseite des Eintrags
  1. Universität

Universitätsbibliothek

Publikationsserver

Kontakt:

Publizieren: oa@ur.de
0941 943 -4239 oder -69394

Dissertationen: dissertationen@ur.de
0941 943 -3904

Forschungsdaten: datahub@ur.de
0941 943 -5707

Ansprechpartner