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Single-electron transistor fabricated by focused laser beam-induced doping of a GaAs/AlGaAs heterostructure

Baumgartner, P. und Wegscheider, Werner und Bichler, Max und Schedelbeck, G. und Neumann, Richard und Abstreiter, Gerhard (1997) Single-electron transistor fabricated by focused laser beam-induced doping of a GaAs/AlGaAs heterostructure. Applied Physics Letters 70 (16), S. 2135-2137.

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Zusammenfassung

A single-electron transistor has been fabricated by an optical fabrication method. A small dot, a source and drain reservoir, and in-plane gates are all built from the two-dimensional electron gas of an n-type GaAs/AlGaAs heterostructure. Laser-written p-doped lines are used to define this dot with a diameter of about 70 nm and to insulate it from the in-plane gates. Tunnel junctions connect the ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:21 April 1997
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1063/1.118969DOI
Verwandte URLs:
URLURL Typ
http://link.aip.org/link/?APPLAB/70/2135/1Verlag
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:02 Nov 2009 13:20
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 11:58
Dokumenten-ID:10837
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