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Atomically Precise GaAs/AlGaAs Quantum Dots Fabricated by Twofold Cleaved Edge Overgrowth

Wegscheider, Werner und Schedelbeck, G. und Abstreiter, Gerhard und Rother, M. und Bichler, Max (1997) Atomically Precise GaAs/AlGaAs Quantum Dots Fabricated by Twofold Cleaved Edge Overgrowth. Physical Review Letters 79 (10), S. 1917-1920.

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Zusammenfassung

The formation of a 7×7×7 nm3 size GaAs quantum dot (QD) at the intersection of three quantum wells is demonstrated for the first time. Intense radiative recombination between zero-dimensional states in the QDs is clearly identified by microscopic photoluminescence ( μPL). In contrast to the inhomogeneously broadened quantum well and quantum wire signals originating from the complex twofold ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:8 September 1997
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1103/PhysRevLett.79.1917DOI
Verwandte URLs:
URLURL Typ
http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevLett.79.1917Verlag
Klassifikation:
NotationArt
73.20.Dx, 73.20.At, 78.55.Cr PACS
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:02 Nov 2009 13:23
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 11:58
Dokumenten-ID:10840
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