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Direct writing of in-plane-gated nanostructures by focused laser beam-induced doping

Baumgartner, P. und Wegscheider, Werner und Bichler, Max und Groos, G. und Abstreiter, Gerhard (1998) Direct writing of in-plane-gated nanostructures by focused laser beam-induced doping. Physica E Low-dimensional Systems and Nanostructures 2 (1-4), S. 441-448.

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Zusammenfassung

The fabrication technique of local doping with a focused laser beam is employed to fabricate electronic nanostructures. Zn-doped regions are used to fabricate in-plane electron channels in a high mobility GaAs/AlGaAs heterostructure. The operation of different devices, like quantum point contacts, single electron transistors or Aharonov–Bohm rings, is demonstrated. The coplanar gate geometry improves the performance of the devices in charge sensing applications.


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Dokumentenart:Artikel
Datum:15 Juli 1998
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1016/S1386-9477(98)00091-5DOI
Stichwörter / Keywords:Transport; Electronic nanostructures; Fabrication technique
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:09 Nov 2009 13:07
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 12:02
Dokumenten-ID:10873
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