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In-plane gates and nanostructures fabricated by direct oxidation of semiconductor heterostructures with an atomic force microscope

Held, R. und Vancura, T. und Heinzel, Thomas und Ensslin, Klaus und Holland, M. und Wegscheider, Werner (1998) In-plane gates and nanostructures fabricated by direct oxidation of semiconductor heterostructures with an atomic force microscope. Applied Physics Letters 73 (2), S. 262-264.

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Zusammenfassung

The surface of shallow Ga[Al]As heterostructures is locally oxidized with an atomic force microscope. The electron gas underneath the oxide is depleted. We demonstrate experimentally that these depleted regions of the two-dimensional electron gas can be made highly resistive at liquid nitrogen temperatures. Thus, local anodic oxidation of high electron mobility transistors with an atomic force ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:13 Juli 1998
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1063/1.121774DOI
Verwandte URLs:
URLURL Typ
http://link.aip.org/link/?APPLAB/73/262/1Verlag
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:09 Nov 2009 13:17
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 12:02
Dokumenten-ID:10881
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