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Magnetization of the Fractional Quantum Hall States

Meinel, I. und Hengstmann, T. und Grundler, D. und Heitmann, Detlef und Wegscheider, Werner und Bichler, Max (1999) Magnetization of the Fractional Quantum Hall States. Physical Review Letters 82 (4), S. 819-822.

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Zusammenfassung

We observe electron magnetism originating from fractional quantum Hall states in single-layered GaAs heterojunctions. This magnetization is entirely governed by electron-electron interaction effects. The studies were performed at temperatures between 0.3 and 7 K on gated high-mobility two-dimensional electron systems. We observe oscillations in the magnetic moment at various fractional filling ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:25 Januar 1999
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1103/PhysRevLett.82.819DOI
Verwandte URLs:
URLURL Typ
http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevLett.82.819Verlag
Klassifikation:
NotationArt
73.40.Hm, 73.20.Dx, 75.20.-g, 75.30.CrPACS
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:09 Nov 2009 13:33
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 12:03
Dokumenten-ID:10893
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