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In-plane gate single-electron transistor in Ga[Al]As fabricated by scanning probe lithography

Lüscher, S. und Fuhrer, A. und Held, R. und Heinzel, Thomas und Ensslin, Klaus und Wegscheider, Werner (1999) In-plane gate single-electron transistor in Ga[Al]As fabricated by scanning probe lithography. Applied Physics Letters 75 (16), S. 2452-2454.

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Zusammenfassung

A single-electron transistor has been realized in a Ga[Al]As heterostructure by oxidizing lines in the GaAs cap layer with an atomic force microscope. The oxide lines define the boundaries of the quantum dot, the in-plane gate electrodes, and the contacts of the dot to source and drain. Both the number of electrons in the dot as well as its coupling to the leads can be tuned with an additional, ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:18 Oktober 1999
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1063/1.125045DOI
Verwandte URLs:
URLURL Typ
http://link.aip.org/link/?APPLAB/75/2452/1Verlag
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:30 Nov 2009 13:09
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 12:08
Dokumenten-ID:11006
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