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Lateral tunneling through the controlled barrier between edge channels in a two-dimensional electron system

Shashkin, A. A. und Dolgopolov, V. T. und Deviatov, E. V. und Irmer, B. und Haubrich, A. G. C. und Kotthaus, J .P. und Bichler, Max und Wegscheider, Werner (1999) Lateral tunneling through the controlled barrier between edge channels in a two-dimensional electron system. Zurnal eksperimental'noj i teoreticeskoj fiziki: ZETF 69 (8), S. 561.

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Zusammenfassung

A study is made of the lateral tunneling between edge channels at the depletion-induced edges of a gated two-dimensional electron system, through a gate-voltage-controlled barrier arising when the donor layer of the heterostructure is partly removed along a fine strip by means of an atomic force microscope. For a sufficiently high barrier the typical current-voltage characteristic is found to be ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:1999
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:30 Nov 2009 13:14
Zuletzt geändert:30 Nov 2009 13:14
Dokumenten-ID:11012
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