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Semiconductor nanostructures with short depletion length and stacked gates, patterned with an atomic force microscope

Heinzel, Thomas H. und Held, R. und Lüscher, S. und Ensslin, Klaus und Wegscheider, Werner (2000) Semiconductor nanostructures with short depletion length and stacked gates, patterned with an atomic force microscope. Physica E Low-dimensional Systems and Nanostructures 7 (3-4), S. 860-863.

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Zusammenfassung

We have investigated the electronic properties of the confining potentials obtained by oxidizing the surface of Ga[Al]As heterostructures with an atomic force microscope. From magnetotransport measurements on quantum wires at liquid-helium temperatures we find an extremely small lateral depletion length of (15±5) nm as well as a specularity of the boundary scattering above 95%. Furthermore, we ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:Mai 2000
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1016/S1386-9477(00)00077-1DOI
Klassifikation:
NotationArt
07.79.Lh; 73.20.Dx; 81.05.EdPACS
Stichwörter / Keywords:Atomic force microscope; Semiconductor nanostructures; Nanolithography
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:30 Nov 2009 13:22
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 12:09
Dokumenten-ID:11039
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