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In-plane Gate Single Electron Transistor Fabricated by AFM Lithography

Lüscher, S. und Fuhrer, A. und Held, R. und Heinzel, Thomas H. und Ensslin, Klaus und Wegscheider, Werner und Bichler, Max (2000) In-plane Gate Single Electron Transistor Fabricated by AFM Lithography. Journal of Low Temperature Physics 118 (5-6), S. 333-342.

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Zusammenfassung

Coulomb blockade is observed in semiconductor quantum dotsfabricated by scanning probe lithography. We demonstrate thatby combining top gates with in-plane gates, the lithographicshape of a dot can be transferred into the electron gas withhigh accuracy. Furthermore, by applying voltages to the in-plane gates, the number of electrons on the dot can be changedby more than 70 without changing its ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:Mai 2000
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1023/A:1004685715921DOI
Klassifikation:
NotationArt
73.23 HK, 85.40 Ux, 85.30 Vx, 85.40 HpPACS
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:30 Nov 2009 13:23
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 12:09
Dokumenten-ID:11041
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