Startseite UR

Electronic properties of nanostructures defined in Ga[Al]As heterostructures by local oxidation

Heinzel, Thomas und Held, R. und Lüscher, S. und Ensslin, Klaus und Wegscheider, Werner und Bichler, Max (2001) Electronic properties of nanostructures defined in Ga[Al]As heterostructures by local oxidation. Physica E Low-dimensional Systems and Nanostructures 9 (1), S. 84-93.

[img]PDF
Download (568kB) - Nur für Mitarbeiter des Archivs

Zum Artikel beim Verlag (über DOI)


Zusammenfassung

Tunable nanostructures can be patterned in Ga[Al]As heterostructures with an atomic force microscope (AFM). Oxidizing the GaAs cap layer locally by applying a voltage to the AFM tip leads to depletion of the electron gas underneath the oxide. Here, we describe this type of AFM lithography as a tool to fabricate tunable nanostructures and characterize the electronic properties of the resulting ...

plus


Bibliographische Daten exportieren



Dokumentenart:Artikel
Datum:Januar 2001
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1016/S1386-9477(00)00181-8DOI
Stichwörter / Keywords:Ga[Al]As; Scanning probe lithography; Quantum wires; Conductance uctuations
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:30 Nov 2009 13:35
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 12:12
Dokumenten-ID:11168
Nur für Besitzer und Autoren: Kontrollseite des Eintrags

Downloads

Downloads im Monat während des letzten Jahres

  1. Universität

Universitätsbibliothek

Publikationsserver

Kontakt:

Publizieren: oa@ur.de

Dissertationen: dissertationen@ur.de

Forschungsdaten: daten@ur.de

Ansprechpartner