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Transport properties of quantum dots with steep walls

Fuhrer, A. und Lüscher, S. und Heinzel, Thomas und Ensslin, Klaus und Wegscheider, Werner und Bichler, Max (2001) Transport properties of quantum dots with steep walls. Physical Review B 63 (12), S. 125309.

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Zusammenfassung

Quantum dots are fabricated in a Ga[Al]As heterostructure by local oxidation with an atomic force microscope. This technique, in combination with top gate voltages, allows us to generate small lateral depletion lengths. The confinement is characterized by low-temperature magnetotransport measurements, from which the dots energy spectrum is reconstructed. We find that in small dots the addition ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:7 März 2001
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1103/PhysRevB.63.125309DOI
Verwandte URLs:
URLURL Typ
http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.63.125309Verlag
Klassifikation:
NotationArt
73.23.Hk, 81.07.-b, 73.23.-b PACS
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:30 Nov 2009 13:44
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 12:12
Dokumenten-ID:11175
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