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Gate-voltage control of spin interactions between electrons and nuclei in a semiconductor

Smet, J. H. und Deutschmann, R. A. und Ertl, F. und Wegscheider, Werner und Abstreiter, Gerhard und Klitzing, Klaus von (2002) Gate-voltage control of spin interactions between electrons and nuclei in a semiconductor. Nature 415, S. 281-286.

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Zusammenfassung

Semiconductors are ubiquitous in device electronics, because their charge distributions can be conveniently manipulated with voltages to perform logic operations. Achieving a similar level of control over the spin degrees of freedom, either from electrons or nuclei, could provide intriguing prospects for both information processing and the study of fundamental solid-state physics issues. Here we ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:17 Januar 2002
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1038/415281aDOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:30 Nov 2009 14:11
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 12:13
Dokumenten-ID:11190
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