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Nonlinear optical response of highly energetic excitons in GaAs: Microscopic electrodynamics at semiconductor interfaces

Betz, M. und Göger, G. und Leitenstorfer, A. und Bichler, Max und Wegscheider, Werner und Abstreiter, Gerhard (2002) Nonlinear optical response of highly energetic excitons in GaAs: Microscopic electrodynamics at semiconductor interfaces. Physical Review B 65 (8), 085314.

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Zusammenfassung

A spectroscopic investigation of bound electron-hole pairs in GaAs propagating with large center-of-mass momentum is presented. The approach is based on transmission experiments exploiting the coupling of excitonic polarization to the electromagnetic field of femtosecond laser pulses. The dispersion relations of the coherent excitations are determined up to excess energies of 300 meV above the ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:6 Februar 2002
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1103/PhysRevB.65.085314DOI
Verwandte URLs:
URLURL Typ
http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.65.085314Verlag
Klassifikation:
NotationArt
71.35.Cc, 71.36.+c, 72.15.Lh, 78.47.+pPACS
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:30 Nov 2009 14:13
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 12:13
Dokumenten-ID:11195
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