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Invited Review Electronic properties of nanostructures defined in Ga[Al]As heterostructures by local oxidation

Fuhrer, A. und Dorn, A. und Lüscher, S. und Heinzel, Thomas und Ensslin, Klaus und Wegscheider, Werner und Bichler, Max (2002) Invited Review Electronic properties of nanostructures defined in Ga[Al]As heterostructures by local oxidation. Superlattices and Microstructures 31 (1), S. 19-42.

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Zusammenfassung

Semiconductor nanostructures are fabricated by local oxidation of Ga[Al]As heterostructures with an atomic force microscope (AFM). The GaAs surface is locally oxidized by applying a bias between the substrate and a conductive AFM tip in a humidity-controlled environment. For high-quality two-dimensional electron gases (2DEGS) located close enough to the sample surface the electrons get depleted ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:Januar 2002
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1006/spmi.2002.1015DOI
Klassifikation:
NotationArt
71.30.+h, 71.35.-y, 73.21.-b, 78.66.FdPACS
Stichwörter / Keywords:atomic force lithography, semiconductor nanostructures, 2DEG
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:07 Dez 2009 13:18
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 12:15
Dokumenten-ID:11311
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