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Two-dimensional electron-gas actuation and transduction for GaAs nanoelectromechanical systems

Tang, H. X. und Huang, M. H. und Roukes, M. L. und Bichler, Max und Wegscheider, Werner (2002) Two-dimensional electron-gas actuation and transduction for GaAs nanoelectromechanical systems. Applied Physics Letters 81 (20), S. 3879-3881.

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Zusammenfassung

We have fabricated doubly clamped beams from GaAs/AlGaAs quantum-well heterostructures containing a high-mobility two-dimensional electron gas (2DEG). Applying an rf drive to in-plane side gates excites the beam's mechanical resonance through a dipole–dipole mechanism. Sensitive high-frequency displacement transduction is achieved by measuring the ac emf developed across the 2DEG in the presence ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:11 November 2002
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1063/1.1516237DOI
Verwandte URLs:
URLURL Typ
http://link.aip.org/link/?APPLAB/81/3879/1Verlag
Klassifikation:
NotationArt
07.10.Cm; 85.35.-p; 73.61.Ey; 73.50.Dn; 73.50.GrPACS
Stichwörter / Keywords:gallium arsenide, III-V semiconductors, micromechanical devices, aluminium compounds, two-dimensional electron gas, nanostructured materials, carrier mobility
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:07 Dez 2009 13:22
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 12:15
Dokumenten-ID:11317
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