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Degradation Analysis of InGaN Laser Diodes

Kümmler, V. und Brüderl, G. und Bader, S. und Miller, S. und Weimar, A. und Lell, A. und Härle, V. und Schwarz, Ulrich und Gmeinwieser, Nikolaus und Wegscheider, Werner (2002) Degradation Analysis of InGaN Laser Diodes. physica status solidi a 194 (2), S. 419-422.

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Zusammenfassung

The current status of InGaN-MQW-laser diodes developed at Osram OS is presented. These lasers are grown on n-conducting SiC, enabling a vertical current path, cleaved facets and excellent heat spreading. The temperature rise during cw operation is measured for different mountings. A p-side up mounted diode with thermal resistance of 18 K/W showed 143 h of cw lasing at 1 mW optical power (T = 25 ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:4 Dezember 2002
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1002/1521-396X(200212)194:2<419::AID-PSSA419>3.0.CO;2-BDOI
Klassifikation:
NotationArt
42.55.Px; 78.45.+h; 78.60.FiPACS
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:07 Dez 2009 13:26
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 12:16
Dokumenten-ID:11319
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