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Planar Hall sensors for micro-Hall magnetometry

Rahm, Michael und Raabe, Jörg und Pulwey, Ralph und Biberger, Josef und Wegscheider, Werner und Weiss, Dieter und Meier, C. (2002) Planar Hall sensors for micro-Hall magnetometry. Journal of Applied Physics 91 (10), S. 7980.

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Zusammenfassung

In this work we present a new method to fabricate planar Hall sensors from GaAs–AlGaAs heterojunctions, which can be used to examine the local stray field at a specific section of a micron-sized magnet. Instead of mesa etching we implanted oxygen ions with an energy of 1.5 keV which deplete the two-dimensional electron gas underneath the exposed areas but leave the wafer flat. Planar double Hall ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:15 Mai 2002
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1063/1.1453338DOI
Verwandte URLs:
URLURL Typ
http://link.aip.org/link/?JAPIAU/91/7980/1Verlag
Klassifikation:
NotationArt
07.55.Ge; 07.55.Jg; 75.50.Cc; 75.50.Tt; 75.60.Jk; 61.72.Ww; 61.80.Jh; PACS
Stichwörter / Keywords:gallium arsenide, aluminium compounds, III-V semiconductors, semiconductor heterojunctions, Hall effect, magnetometers, magnetic field measurement, magnetisation reversal, oxygen, ion implantation, two-dimensional electron gas, Hall effect devices, nickel, magnetic particles, ferromagnetic materials
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:07 Dez 2009 13:28
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 12:16
Dokumenten-ID:11320
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