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Vertical field effect transistors realized by cleaved-edge overgrowth

Ertl, F. und Asperger, T. und Deutschmann, R. A. und Wegscheider, Werner und Bichler, Max und Böhm, G. und Abstreiter, Gerhard (2002) Vertical field effect transistors realized by cleaved-edge overgrowth. Physica E Low-dimensional Systems and Nanostructures 13 (2-4), S. 920-924.

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Zusammenfassung

We present a brief survey of vertical transistor devices fabricated by the cleaved-edge overgrowth technique. Different device types are realized using different transistor substrates grown by molecular beam epitaxy. These substrates mainly vary in the layer sequence and thickness between the source/drain contacts. Common to all designs is the vertical gate structure overgrown on a cleavage plane ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:März 2002
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1016/S1386-9477(02)00235-7DOI
Klassifikation:
NotationArt
81.16.−c; 85.35.−p; 73.63.−bPACS
Stichwörter / Keywords:Cleaved-edge overgrowth; Vertical transistor; DC transport
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:07 Dez 2009 13:29
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 12:16
Dokumenten-ID:11324
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