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In situ control of electron gas dimensionality in freely suspended semiconductor membranes

Höhberger, Eva M. und Krämer, Tomas und Wegscheider, Werner und Blick, Robert H. (2003) In situ control of electron gas dimensionality in freely suspended semiconductor membranes. Applied Physics Letters 82 (23), S. 4160-4162.

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Zusammenfassung

We present fabrication and measurements of gated suspended low-dimensional electron systems. The core component of the device is a low-dimensional electron gas embedded in a free-standing beam processed from a GaAs/AlGaAs heterostructure. The dimensionality of the electronic system is fully controlled by a number of gating electrodes on the suspended membranes. Operation in the quantum Hall ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:9 Juni 2003
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1063/1.1580641DOI
Verwandte URLs:
URLURL Typ
http://link.aip.org/link/?APPLAB/82/4160/1Verlag
Klassifikation:
NotationArt
73.61.Ey; 73.40.Kp; 73.43.-f;73.21.LaPACS
Stichwörter / Keywords: gallium arsenide, aluminium compounds, III-V semiconductors, semiconductor heterojunctions, two-dimensional electron gas, quantum Hall effect, semiconductor quantum dots, membranes
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:14 Dez 2009 13:11
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 12:16
Dokumenten-ID:11344
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