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Combined atomic force microscope and electron-beam lithography used for the fabrication of variable-coupling quantum dots

Rogge, M. C., Fühner, C., Keyser, U. F., Haug, R. J., Bichler, Max, Abstreiter, Gerhard und Wegscheider, Werner (2003) Combined atomic force microscope and electron-beam lithography used for the fabrication of variable-coupling quantum dots. Applied Physics Letters 83 (6), S. 1163-1165.

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Zusammenfassung

We have combined direct nanofabrication by local anodic oxidation with conventional electron-beam lithography to produce a parallel double quantum dot based on a GaAs/AlGaAs heterostructure. The combination of both nanolithography methods allows fabrication of robust in-plane gates and Cr/Au top-gate electrodes on the same device for optimal controllability. This is illustrated by the tunability ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:11 August 2003
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1063/1.1599972DOI
Verwandte URLs:
URLURL Typ
http://link.aip.org/link/?APPLAB/83/1163/1Verlag
Klassifikation:
NotationArt
81.16.Nd; 81.16.Ta; 81.07.Ta; 81.05.Ea; 68.47.Fg; 68.65.Hb; 85.40.Hp; 81.65.MqPACS
Stichwörter / Keywords:gallium arsenide, aluminium compounds, III-V semiconductors, semiconductor quantum dots, atomic force microscopy, electron beam lithography, nanolithography, anodisation
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:14 Dez 2009 13:20
Zuletzt geändert:19 Dez 2016 12:12
Dokumenten-ID:11353
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