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Combined atomic force microscope and electron-beam lithography used for the fabrication of variable-coupling quantum dots

Rogge, M. C. und Fühner, C. und Keyser, U. F. und Haug, R. J. und Bichler, Max und Abstreiter, Gerhard und Wegscheider, Werner (2003) Combined atomic force microscope and electron-beam lithography used for the fabrication of variable-coupling quantum dots. Applied Physics Letters 83 (6), S. 1163-1165.

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Zusammenfassung

We have combined direct nanofabrication by local anodic oxidation with conventional electron-beam lithography to produce a parallel double quantum dot based on a GaAs/AlGaAs heterostructure. The combination of both nanolithography methods allows fabrication of robust in-plane gates and Cr/Au top-gate electrodes on the same device for optimal controllability. This is illustrated by the tunability ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:11 August 2003
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1063/1.1599972DOI
Verwandte URLs:
URLURL Typ
http://link.aip.org/link/?APPLAB/83/1163/1Verlag
Klassifikation:
NotationArt
81.16.Nd; 81.16.Ta; 81.07.Ta; 81.05.Ea; 68.47.Fg; 68.65.Hb; 85.40.Hp; 81.65.MqPACS
Stichwörter / Keywords:gallium arsenide, aluminium compounds, III-V semiconductors, semiconductor quantum dots, atomic force microscopy, electron beam lithography, nanolithography, anodisation
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:14 Dez 2009 13:20
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 12:17
Dokumenten-ID:11353
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