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Strongly confined quantum wire states in strained T-shaped GaAs/InAlAs structures

Schuster, Robert und Hajak, H. und Reinwald, Matthias und Wegscheider, Werner und Schuh, Dieter und Bichler, Max und Abstreiter, Gerhard (2004) Strongly confined quantum wire states in strained T-shaped GaAs/InAlAs structures. Physica E Low-dimensional Systems and Nanostructures 21 (2-4), S. 236-240.

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Zusammenfassung

The confinement energy of T-shaped quantum wires (QWRs), which were fabricated by the cleaved edge overgrowth technique in a way that the QWRs form at the intersection of In0.2Al0.8As stressor layers and the overgrown (1 1 0) GaAs quantum well (QW), is examined using micro-photoluminescence spectroscopy. Photoluminescence (PL) signals from individual QWRs can be spatially resolved, since the ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:März 2004
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1016/j.physe.2003.11.268DOI
Klassifikation:
NotationArt
78.55.Cr; 78.67.Lt; 73.21.Hb PACS
Stichwörter / Keywords:Confinement energy; Quantum wires; Cleaved edge overgrowth; Micro-photoluminescence; Strain
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:11 Jan 2010 13:02
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 12:20
Dokumenten-ID:11800
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