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Long relaxation times of holes in Si/SiGe quantum cascade structures with a diagonal intersubband transition

Bormann, I. und Brunner, K. und Hackenbuchner, S. und Riedl, H. und Schmult, Stefan und Wegscheider, Werner und Abstreiter, Gerhard (2004) Long relaxation times of holes in Si/SiGe quantum cascade structures with a diagonal intersubband transition. Physica E Low-dimensional Systems and Nanostructures 21 (2-4), S. 779-782.

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Zusammenfassung

In this work we investigate experimentally and theoretically the feasibility to enhance the nonradiative lifetime of the upper heavy hole state in Si/SiGe quantum cascade (QC) structures within a diagonal transition design. The problem of fast nonradiative optical phonon scattering makes it impossible to achieve population inversion with recently demonstrated Si/SiGe QC mid-infrared emitter ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:März 2004
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1016/j.physe.2003.11.123DOI
Klassifikation:
NotationArt
78.66.Db; 78.60.−b; 78.67.Pt; 72.10.Di PACS
Stichwörter / Keywords:Si; SiGe; Electroluminescence; Quantum cascade; Phonon scattering
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:11 Jan 2010 13:17
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 12:21
Dokumenten-ID:11816
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