Startseite UR

Correlation of strain, wing tilt, dislocation density, and photoluminescence in epitaxial lateral overgrown GaN on SiC substrates

DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
10.5283/epub.11821
Gmeinwieser, Nikolaus ; Engl, Karl ; Gottfriedsen, P. ; Schwarz, Ulrich ; Zweck, Josef ; Wegscheider, Werner ; Miller, S. ; Lugauer, H.-J. ; Leber, A. ; Weimar, A. ; Lell, Alfred ; Härle, Volker
[img]PDF
(677kB) - Nur für Mitarbeiter des Archivs
Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 11 Jan 2010 13:19


Zusammenfassung

Epitaxial lateral overgrown (ELOG) gallium nitride (GaN) on SiC is being studied as a possible substrate for blue laser diodes. A defect density below 2.2×107 cm–2 in the wings, compared to 2×109 cm–2 in the windows, was achieved. Interaction of the overgrown GaN with the SiO2 mask causes a few degree wing tilt and a transition region of high defect density between windows and wings. Diminished ...

plus


Nur für Besitzer und Autoren: Kontrollseite des Eintrags
  1. Universität

Universitätsbibliothek

Publikationsserver

Kontakt:

Publizieren: oa@ur.de
0941 943 -4239 oder -69394

Dissertationen: dissertationen@ur.de
0941 943 -3904

Forschungsdaten: datahub@ur.de
0941 943 -5707

Ansprechpartner