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Correlation of strain, wing tilt, dislocation density, and photoluminescence in epitaxial lateral overgrown GaN on SiC substrates

Gmeinwieser, Nikolaus und Engl, Karl und Gottfriedsen, P. und Schwarz, Ulrich und Zweck, Josef und Wegscheider, Werner und Miller, S. und Lugauer, H.-J. und Leber, A. und Weimar, A. und Lell, Alfred und Härle, Volker (2004) Correlation of strain, wing tilt, dislocation density, and photoluminescence in epitaxial lateral overgrown GaN on SiC substrates. Journal of Applied Physics 96 (7), S. 3666-3672.

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Zusammenfassung

Epitaxial lateral overgrown (ELOG) gallium nitride (GaN) on SiC is being studied as a possible substrate for blue laser diodes. A defect density below 2.2×107 cm–2 in the wings, compared to 2×109 cm–2 in the windows, was achieved. Interaction of the overgrown GaN with the SiO2 mask causes a few degree wing tilt and a transition region of high defect density between windows and wings. Diminished ...

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Bibliographische Daten exportieren



Dokumentenart:Artikel
Datum:1 Oktober 2004
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1063/1.1784617DOI
Verwandte URLs:
URLURL Typ
http://link.aip.org/link/?JAPIAU/96/3666/1Verlag
Klassifikation:
NotationArt
81.05.Ea; 68.47.Fg; 78.55.Cr; 61.72.Ff; 68.55.Jk; 78.66.Fd; 68.60.Bs;PACS
Stichwörter / Keywords:gallium compounds, III-V semiconductors, semiconductor epitaxial layers, semiconductor growth, wide band gap semiconductors, dislocation density, photoluminescence, X-ray diffraction, scanning electron microscopy, masks, transmission electron microscopy, internal stresses
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:11 Jan 2010 13:19
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 12:21
Dokumenten-ID:11821
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