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High-field magnetoresistance of Fe/GaAs/Fe tunnel junctions

Zenger, Marcus und Moser, Jürgen und Wegscheider, Werner und Weiss, Dieter und Dietl, T. (2004) High-field magnetoresistance of Fe/GaAs/Fe tunnel junctions. Journal of Applied Physics 96 (14), S. 2400-2402.

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Zusammenfassung

We investigate transport through 6–10 nm thin epitaxial GaAs(001) barriers sandwiched between polycrystalline iron films. Apart from a pronounced tunneling magnetoresistance effect at low magnetic fields, we observe a distinct negative magnetoresistance (MR) at low and a positive MR at higher temperatures. We show that the negative MR contribution is only observed for the ferromagnetic iron ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:15 August 2004
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1063/1.1774255DOI
Verwandte URLs:
URLURL Typ
http://link.aip.org/link/?JAPIAU/96/2400/1Verlag
Klassifikation:
NotationArt
75.50.Pp; 73.61.Ey; 71.70.Ej; 75.47.-m; 73.50.Fq; 73.40.Sx; 72.20.MyPACS
Stichwörter / Keywords:iron, gallium arsenide, III-V semiconductors, ferromagnetic materials, magnetic semiconductors, magnetic epitaxial layers, semiconductor epitaxial layers, tunnelling magnetoresistance, Zeeman effect, metal-semiconductor-metal structures
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:11 Jan 2010 13:21
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 12:22
Dokumenten-ID:11825
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