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Strong charge carrier confinement in purely strain induced GaAs/InAlAs single quantum wires

Schuster, Robert und Hajak, H. und Reinwald, Matthias und Wegscheider, Werner und Schuh, Dieter und Bichler, Max und Abstreiter, Gerhard (2004) Strong charge carrier confinement in purely strain induced GaAs/InAlAs single quantum wires. Applied Physics Letters 85 (17), S. 3672-3674.

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Zusammenfassung

We report on micro-photoluminescence studies of single quantum wires which were grown by molecular beam epitaxy. Employing the cleaved edge overgrowth technique, quantum wires located in an overgrown (011) oriented GaAs quantum well originate purely from the tensile strain field of InAlAs layers grown along the [100] direction. These stressor layers are separated by 1-µm-wide AlGaAs barriers so ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:25 Oktober 2004
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1063/1.1807948DOI
Verwandte URLs:
URLURL Typ
http://link.aip.org/link/?APPLAB/85/3672/1Verlag
Klassifikation:
NotationArt
81.07.Vb; 73.21.Hb; 81.05.Ea; 78.67.Lt; 78.67.De; 78.55.Cr; 81.15.HiPACS
Stichwörter / Keywords:gallium arsenide, indium compounds, aluminium compounds, III-V semiconductors, molecular beam epitaxial growth, semiconductor growth, semiconductor quantum wires, photoluminescence, excitons, internal stresses, semiconductor quantum wells
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:11 Jan 2010 13:22
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 12:22
Dokumenten-ID:11827
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