Startseite UR

Strong charge carrier confinement in purely strain induced GaAs/InAlAs single quantum wires

DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
10.5283/epub.11827
Schuster, Robert ; Hajak, H. ; Reinwald, Matthias ; Wegscheider, Werner ; Schuh, Dieter ; Bichler, Max ; Abstreiter, Gerhard
[img]PDF
(234kB) - Nur für Mitarbeiter des Archivs
Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 11 Jan 2010 13:22


Zusammenfassung

We report on micro-photoluminescence studies of single quantum wires which were grown by molecular beam epitaxy. Employing the cleaved edge overgrowth technique, quantum wires located in an overgrown (011) oriented GaAs quantum well originate purely from the tensile strain field of InAlAs layers grown along the [100] direction. These stressor layers are separated by 1-µm-wide AlGaAs barriers so ...

plus


Nur für Besitzer und Autoren: Kontrollseite des Eintrags
  1. Universität

Universitätsbibliothek

Publikationsserver

Kontakt:

Publizieren: oa@ur.de
0941 943 -4239 oder -69394

Dissertationen: dissertationen@ur.de
0941 943 -3904

Forschungsdaten: datahub@ur.de
0941 943 -5707

Ansprechpartner