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Spin-dependent tunnelling through epitaxial GaAs(001) and (110) barriers

Zenger, Marcus und Moser, Jürgen und Kreuzer, Stephan und Wegscheider, Werner und Weiss, Dieter (2004) Spin-dependent tunnelling through epitaxial GaAs(001) and (110) barriers. Journal of Physics: Condensed Matter 16 (48), S5823-S5832.

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Zusammenfassung

We investigate transport through 5–10 nm thin epitaxial GaAs(001) and (110) barriers sandwiched between polycrystalline iron films. It turns out that tunnelling is the dominant transport mechanism; this is indicated by a nonlinear I–V-characteristic, an exponential dependence of the tunnelling current on the barrier thickness and the temperature dependence of the current. We observe a pronounced ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:8 Dezember 2004
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1088/0953-8984/16/48/057DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:11 Jan 2010 13:23
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 12:22
Dokumenten-ID:11830
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