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Optical properties of low-dimensional semiconductor systems fabricated by cleaved edge overgrowth

Schuster, Robert und Hajak, H. und Reinwald, Matthias und Wegscheider, Werner und Schedelbeck, Gert und Sedlmaier, S. und Stopa, M. und Birner, S. und Vogl, P. und Bauer, J. und Schuh, Dieter und Bichler, Max und Abstreiter, Gerhard (2004) Optical properties of low-dimensional semiconductor systems fabricated by cleaved edge overgrowth. physica status solidi (c) 1 (8), S. 2028-2055.

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Zusammenfassung

An overview of the cleaved edge overgrowth technique, which allows the realization of atomically precise quantum structures, is presented. We explain the origin of the formation of quantum wires, which were grown with this molecular beam epitaxy method. The emission of quantum wire lasers based on these intrinsic T-shaped structures shows a strong dependence on magnetic fields. Only weak band gap ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:21 Juni 2004
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1002/pssc.200404762DOI
Klassifikation:
NotationArt
73.20.At; 73.21.Hb; 73.21.La; 78.45.+h; 78.67.Hc; 78.67.LtPACS
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:11 Jan 2010 13:25
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 12:22
Dokumenten-ID:11949
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