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Strain, wing tilt and photoluminescence in epitaxial lateral overgrown GaN on SiC substrates

Gmeinwieser, Nikolaus und Engl, Karl und Schwarz, Ulrich und Zweck, Josef und Wegscheider, Werner und Miller, Stephan und Leber, Andreas und Weimar, Andreas und Lell, Alfred und Härle, Volker (2004) Strain, wing tilt and photoluminescence in epitaxial lateral overgrown GaN on SiC substrates. physica status solidi a 201 (12), S. 2760-2763.

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Zusammenfassung

We investigate the epitaxial lateral overgrowth (ELOG) process on silicon carbide (SiC) to obtain defect reduced gallium nitride (GaN). The large wing tilt of about 4 degrees causes bunches of edge dislocations above the edge of the ELOG mask. The PL signal of these regions is diminished and broadened and a defect correlated emission line at about 3.4 eV is detected here exclusively. The GaN ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:2 September 2004
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1002/pssa.200404998DOI
Klassifikation:
NotationArt
61.72.Ff; 68.35.Gy; 68.55.Jk; 78.55.Cr; 81.15.GhPACS
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:11 Jan 2010 13:30
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 12:22
Dokumenten-ID:11953
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