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Fabrication of double quantum dots by combining afm and e-beam lithography

Rogge, M. C. und Fühner, C. und Keyser, U. F. und Bichler, Max und Abstreiter, Gerhard und Wegscheider, Werner und Haug, R. J. (2004) Fabrication of double quantum dots by combining afm and e-beam lithography. Physica E Low-dimensional Systems and Nanostructures 21 (2-4), S. 483-486.

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Zusammenfassung

In recent years several attempts have been made to fabricate coupled quantum dots as a crucial element of quantum computing devices. One important challenge is to achieve a reliable control of the interdot tunneling. For this purpose we have combined direct nanolithography by local anodic oxidation (LAO) with standard electron-beam lithography. LAO is used to produce parallel double quantum dots. ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:März 2004
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
doi:10.1016/j.physe.2003.11.054DOI
Klassifikation:
NotationArt
73.21.La; 73.23.Hk; 73.40.GkPACS
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:11 Jan 2010 13:31
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 12:22
Dokumenten-ID:11955
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