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Excitonic signature in gain and carrier induced change of refractive index spectra of (In,Al)GaN quantum well lasers

Schwarz, Ulrich und Sturm, Evi und Wegscheider, Werner und Kümmler, V. und Lell, Alfred und Härle, Volker (2004) Excitonic signature in gain and carrier induced change of refractive index spectra of (In,Al)GaN quantum well lasers. Applied Physics Letters 85 (9), S. 1475-1477.

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Zusammenfassung

The exciton is observed in (In,Al)GaN laser diodes as resonance in the optical gain spectra and in the spectra of the carrier induced change of the refractive index. The observed instability of the exciton with respect to the free electron-hole plasma with increasing carrier densities is accompanied by a blueshift of the exciton resonance due to the quantum confined Stark shift. The experiments ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:30 August 2004
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1063/1.1789243DOI
Verwandte URLs:
URLURL Typ
http://link.aip.org/link/?APPLAB/85/1475/1Verlag
Klassifikation:
NotationArt
42.55.Px; 85.35.Be; 71.35.Ee; 72.30.+q; 78.20.Ci; 78.67.De; 78.60.FiPACS
Stichwörter / Keywords: indium compounds, aluminium compounds, gallium compounds, III-V semiconductors, wide band gap semiconductors, quantum well lasers, excitons, refractive index, spectral line shift, electroluminescence, quantum confined Stark effect, semiconductor plasma, carrier density
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:11 Jan 2010 13:32
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 12:22
Dokumenten-ID:11956
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