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Influence of manganese contamination on high-mobility GaAs/AlGaAs heterostructures

Wagenhuber, Klaus und Tranitz, H.-P. und Reinwald, Matthias und Wegscheider, Werner (2004) Influence of manganese contamination on high-mobility GaAs/AlGaAs heterostructures. Applied Physics Letters 85 (7), S. 1190-1192.

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Zusammenfassung

Photoluminescence and magnetotransport measurements have been performed to assess the quality of modulation-doped GaAs/AlGaAs heterostructures. The temporal evolution of the low-temperature electron mobility of samples prepared in a molecular-beam-epitaxy chamber containing manganese as a source material was studied. Mn contamination was identified to be responsible for the reduction of the ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:16 August 2004
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1063/1.1782262DOI
Verwandte URLs:
URLURL Typ
http://link.aip.org/link/?APPLAB/85/1190/1Verlag
Klassifikation:
NotationArt
73.61.Ey; 78.66.Fd; 81.05.Ea; 81.15.Hi; 78.55.Cr; 73.40.Kp; 73.50.Dn; 73.50.JtPACS
Stichwörter / Keywords:gallium arsenide, aluminium compounds, III-V semiconductors, semiconductor heterojunctions, photoluminescence, molecular beam epitaxial growth, semiconductor growth, semiconductor epitaxial layers, electron mobility, galvanomagnetic effects, manganese
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:11 Jan 2010 13:32
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 12:22
Dokumenten-ID:11957
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