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Growth of crack-free GaN on Si(1 1 1) with graded AlGaN buffer layers

Able, Andreas und Wegscheider, Werner und Engl, Karl und Zweck, Josef (2005) Growth of crack-free GaN on Si(1 1 1) with graded AlGaN buffer layers. Journal of Crystal Growth 276 (3-4), S. 415-418.

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Zusammenfassung

Hexagonal GaN films on Si(1 1 1) substrates have been grown by metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE). High-temperature AlN buffers provided a reliable diffusion barrier to avoid meltback etching. By introducing a thick, graded AlGaN buffer layer, the critical thickness for cracking has been increased to at least 2µm. The films have been characterized by optical microscopy, transmission electron microscopy (TEM) and X-ray diffraction.


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Dokumentenart:Artikel
Datum:April 2005
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
doi:10.1016/j.jcrysgro.2004.12.003DOI
Klassifikation:
NotationArt
81.05.Ea; 81.15.GhPACS
Stichwörter / Keywords:A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:11 Jan 2010 13:33
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 12:23
Dokumenten-ID:11960
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