Startseite UR

Carbon-doped symmetric GaAs/AlGaAs quantum wells with hole mobilities beyond 106 cm2/V s

DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
10.5283/epub.11965
Gerl, Christian ; Tranitz, Hans-Peter ; Wegscheider, Werner ; Mitzkus, Christian
[img]PDF
(131kB) - Nur für Mitarbeiter des Archivs
Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 11 Jan 2010 13:36


Zusammenfassung

Utilizing a carbon filament doping source, we prepared two-dimensional hole gases in a symmetric quantum-well structure in the GaAs/AlGaAs heterosystem. Low-temperature hole mobilities up to 1.2×106 cm2/V s at a density of 2.3×1011 cm–2 were achieved on GaAs (001) substrates. In contrast to electron systems, the hole mobility sensitively depends on variations of the quantum-well width and the ...

plus


Nur für Besitzer und Autoren: Kontrollseite des Eintrags
  1. Universität

Universitätsbibliothek

Publikationsserver

Kontakt:

Publizieren: oa@ur.de
0941 943 -4239 oder -69394

Dissertationen: dissertationen@ur.de
0941 943 -3904

Forschungsdaten: datahub@ur.de
0941 943 -5707

Ansprechpartner