Startseite UR

Carbon-doped high-mobility two-dimensional hole gases on (110) faced GaAs

Schmult, Stefan und Gerl, Christian und Wurstbauer, Ursula und Mitzkus, Christian und Wegscheider, Werner (2005) Carbon-doped high-mobility two-dimensional hole gases on (110) faced GaAs. Applied Physics Letters 86 (20), S. 202105.

[img]PDF
Download (434kB) - Nur für Mitarbeiter des Archivs

Zum Artikel beim Verlag (über DOI)


Zusammenfassung

Carbon-doped high-mobility two-dimensional hole gases grown on (110) oriented GaAs substrates have been grown with hole mobilities exceeding 106 cm2/Vs in single heterojunction GaAs/AlGaAs structures. At these high mobilities, a pronounced mobility anisotropy has been observed. Rashba induced spin-splitting in these asymmetric structures has been found to be independent on the transport direction.


Bibliographische Daten exportieren



Dokumentenart:Artikel
Datum:9 Mai 2005
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1063/1.1926409DOI
Verwandte URLs:
URLURL Typ
http://link.aip.org/link/?APPLAB/86/202105/1Verlag
Klassifikation:
NotationArt
81.05.Ea; 73.40.Kp;73.61.Ey; 72.20.Fr; 61.72.Vv; PACS
Stichwörter / Keywords:gallium arsenide, aluminium compounds, carbon, III-V semiconductors, semiconductor heterojunctions, hole mobility, semiconductor doping
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:11 Jan 2010 13:37
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 12:23
Dokumenten-ID:11966
Nur für Besitzer und Autoren: Kontrollseite des Eintrags

Downloads

Downloads im Monat während des letzten Jahres

  1. Universität

Universitätsbibliothek

Publikationsserver

Kontakt:

Publizieren: oa@ur.de

Dissertationen: dissertationen@ur.de

Forschungsdaten: daten@ur.de

Ansprechpartner