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Growth of (Ga,Mn)As on GaAs(0 0 1) and (3 1 1)A in a high-mobility MBE system

Reinwald, Matthias und Wurstbauer, Ursula und Döppe, Matthias und Kipferl, Wolfgang und Wagenhuber, K. und Tranitz, Hans-Peter und Weiss, Dieter und Wegscheider, Werner (2005) Growth of (Ga,Mn)As on GaAs(0 0 1) and (3 1 1)A in a high-mobility MBE system. Journal of Crystal Growth 278 (1-4), S. 690-694.

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Zusammenfassung

We demonstrate the possibility to produce both GaAs/AlGaAs heterostructures with high electron mobilities and (Ga,Mn)As by molecular beam epitaxy (MBE) in the same growth chamber. The (Ga,Mn)As samples have been grown on (0 0 1) and (3 1 1)A GaAs substrates and show state of the art quality. Immediately after (Ga,Mn)As growth, two-dimensional electron systems have been produced which show ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:1 Mai 2005
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1016/j.jcrysgro.2004.12.113DOI
Klassifikation:
NotationArt
75.50.Pp; 61.82.Fk; 71.20.NrPACS
Stichwörter / Keywords:A3. Molecular beam epitaxy; B1. GaMnAs; B2. Magnetic materials; B2. Semiconducting materials
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:25 Jan 2010 13:04
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 12:24
Dokumenten-ID:11979
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