Startseite UR

Theory of the Spin Relaxation of Conduction Electrons in Silicon

Cheng, J. L. und Wu, M. W. und Fabian, Jaroslav (2010) Theory of the Spin Relaxation of Conduction Electrons in Silicon. Physical Review Letters (PRL) 104 (1), 016601.

Im Publikationsserver gibt es leider keinen Volltext zu diesem Eintrag.

Zum Artikel beim Verlag (über DOI)

Andere URL zum Volltext: http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevLett.104.016601


Zusammenfassung

A realistic pseudopotential model is introduced to investigate the phonon-induced spin relaxation of conduction electrons in bulk silicon. We find a surprisingly subtle interference of the Elliott and Yafet processes affecting the spin relaxation over a wide temperature range, suppressing the significance of the intravalley spin-flip scattering, previously considered dominant, above roughly 120 ...

plus


Bibliographische Daten exportieren



Dokumentenart:Artikel
Datum:4 Januar 2010
Institutionen:Physik > Institut für Theoretische Physik > Lehrstuhl Professor Richter > Arbeitsgruppe Jaroslav Fabian
Projekte:SPP 1285: Halbleiter Spintronik
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1103/PhysRevLett.104.016601DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:13 Jan 2010 16:34
Zuletzt geändert:27 Aug 2012 12:35
Dokumenten-ID:12028
Nur für Besitzer und Autoren: Kontrollseite des Eintrags
  1. Universität

Universitätsbibliothek

Publikationsserver

Kontakt:

Publizieren: oa@ur.de

Dissertationen: dissertationen@ur.de

Forschungsdaten: daten@ur.de

Ansprechpartner