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Microscopic analysis of optical gain in InGaN/GaN quantum wells

Witzigmann, B. und Laino, V. und Luisier, M. und Schwarz, Ulrich und Feicht, Georg und Wegscheider, Werner und Engl, Karl und Furitsch, Michael und Leber, Andreas und Lell, Alfred und Härle, Volker (2006) Microscopic analysis of optical gain in InGaN/GaN quantum wells. Applied Physics Letters 88 (2), 021104.

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Zusammenfassung

A microscopic theory is used to analyze optical gain in InGaN/GaN quantum wells (QW). Experimental data are obtained from Hakki–Paoli measurements on edge-emitting lasers for different carrier densities. The simulations are based on the solution of the quantum kinetic Maxwell–Bloch equations, including many-body effects and a self-consistent treatment of piezoelectric fields. The results confirm ...

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Bibliographische Daten exportieren



Dokumentenart:Artikel
Datum:11 Januar 2006
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1063/1.2164907DOI
Verwandte URLs:
URLURL Typ
http://link.aip.org/link/?APPLAB/88/021104/1Verlag
Klassifikation:
NotationArt
42.55.PxPACS
Stichwörter / Keywords:indium compounds, gallium compounds, III-V semiconductors, quantum well lasers, semiconductor device models, carrier density
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:25 Jan 2010 13:07
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 12:30
Dokumenten-ID:12177
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