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Influence of an in situ-deposited SiNx intermediate layer inside GaN and AlGaN layers on SiC substrates

Engl, Karl und Beer, Martin und Gmeinwieser, Nikolaus und Schwarz, Ulrich und Zweck, Josef und Wegscheider, Werner und Miller, Stephan und Miler, A. und Lugauer, H.-J. und Brüderl, G. und Lell, Alfred und Härle, Volker (2006) Influence of an in situ-deposited SiNx intermediate layer inside GaN and AlGaN layers on SiC substrates. Journal of Crystal Growth 289 (1), S. 6-13.

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Zusammenfassung

In this work we present a study on the influence of an in situ grown SiNx intermediate layer inside (Al)GaN epitaxial layers grown on SiC substrates on dislocation densities and material strain of the epitaxial films. A defect density of View the MathML source was achieved by reducing the number of pure edge dislocations in the order of one magnitude. It was found that a reduction of the ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:15 März 2006
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1016/j.jcrysgro.2005.10.115DOI
Klassifikation:
NotationArt
78.55.Cr; 81.15.Gh; 61.72.Ff; 68.35.Gy; 68.55.JkPACS
Stichwörter / Keywords:A1. Characterization; A1. Defects; A l. Dislocation; A1. Etching; B l. GaN
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:25 Jan 2010 13:12
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 12:30
Dokumenten-ID:12183
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