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Few-electron quantum dot fabricated with layered scanning force microscope lithography

Sigrist, Martin und Gustavsson, S. und Ihn, Thomas und Ensslin, Klaus und Driscoll, D. und Gossard, A. C. und Reinwald, Matthias und Wegscheider, Werner (2006) Few-electron quantum dot fabricated with layered scanning force microscope lithography. Physica E Low-dimensional Systems and Nanostructures 32 (1-2), S. 5-8.

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Zusammenfassung

Few-electron quantum dots with integrated charge read-out have been fabricated by layered local anodic oxidation of a Ga[Al]As heterostructure and a thin Titanium top gate. The additional set of gates provided by the metallic film is used to tune the quantum dots into the few-electron regime. Current through the quantum dots and the quantum dot charge have been simultaneously measured for ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:Mai 2006
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1016/j.physe.2005.12.128DOI
Klassifikation:
NotationArt
73.23.Hk; 73.63.Kv; 73.21.LaPACS
Stichwörter / Keywords:Few-electron quantum dot; Layered lithography; Scanning force microscope
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:25 Jan 2010 13:12
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 12:30
Dokumenten-ID:12185
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