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Carbon-doped high-mobility hole gases on (001) and (110) GaAs

Gerl, Christian und Schmult, Stefan und Wurstbauer, Ursula und Tranitz, H.-P. und Mitzkus, Christian und Wegscheider, Werner (2006) Carbon-doped high-mobility hole gases on (001) and (110) GaAs. Journal of Vacuum Science & Technology A 24 (3), S. 1630-1633.

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Zusammenfassung

Since Stormer and Tsang have introduced the two-dimensional hole gas (2DHG) in the GaAs/AlGaAs heterosystem, the choice of suitable dopants was limited to beryllium and silicon over the last 20 years. Both acceptor atoms have significant disadvantages, i.e., either high diffusion rates or a limitation to specific growth directions. Utilizing a carbon filament doping source we prepared ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:Mai 2006
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1116/1.2192536DOI
Verwandte URLs:
URLURL Typ
http://dx.doi.org/10.1116/1.2192536Verlag
Klassifikation:
NotationArt
73.21.Fg; 73.63.Hs; 73.43.Qt; 71.70.Ej;PACS
Stichwörter / Keywords:two-dimensional hole gas, semiconductor quantum wells, magnetoresistance, quantum Hall effect, spin-orbit interactions, gallium arsenide, III-V semiconductors
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:25 Jan 2010 13:14
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 12:30
Dokumenten-ID:12189
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