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Magnetic anisotropy of Ga1–xMnxAs thin films on GaAs (311)A probed by ferromagnetic resonance

Bihler, C. und Huebl, H. und Brandt, Miriam und Goennenwein, S.T. B. und Reinwald, Matthias und Wurstbauer, Ursula und Döppe, Matthias und Weiss, Dieter und Wegscheider, Werner (2006) Magnetic anisotropy of Ga1–xMnxAs thin films on GaAs (311)A probed by ferromagnetic resonance. Applied Physics Letters 89 (1), 012507.

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Zusammenfassung

We have studied the magnetic anisotropy of Ga1–xMnxAs thin films grown by low-temperature molecular beam epitaxy on GaAs (311)A substrates by means of ferromagnetic resonance spectroscopy. The angular dependence of the ferromagnetic resonance fields observed can be explained by two main contributions to the magnetic anisotropy: a cubic magnetic anisotropy field oriented along the crystallographic ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:7 Juli 2006
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Projekte:SFB 689: Spinphänomene in reduzierten Dimensionen
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1063/1.2219408DOI
Verwandte URLs:
URLURL Typ
http://link.aip.org/link/?APPLAB/89/0112507/1Verlag
Klassifikation:
NotationArt
75.50.Pp; 75.50.Dd; 75.50.DdPACS
Stichwörter / Keywords:manganese compounds, gallium arsenide, III-V semiconductors, semiconductor epitaxial layers, magnetic epitaxial layers, magnetic semiconductors, ferromagnetic materials, magnetic anisotropy, ferromagnetic resonance
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:25 Jan 2010 13:20
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 12:31
Dokumenten-ID:12196
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