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Tunneling anisotropic magnetoresistance effect in a p+-(Ga,Mn)As/n+-GaAs Esaki diode

Ciorga, Mariusz und Einwanger, Andreas und Sadowski, Janusz und Wegscheider, Werner und Weiss, Dieter (2007) Tunneling anisotropic magnetoresistance effect in a p+-(Ga,Mn)As/n+-GaAs Esaki diode. physica status solidi a 204 (1), S. 186-190.

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Zusammenfassung

We have performed magnetotransport experiments on p+-(Ga,Mn)As/n+-GaAs Esaki diode devices. The spin-valve-like signal was observed in these devices in an in-plane magnetic field configuration due to Tunneling Anisotropic Magnetoresistance effect. The pattern of the observed magnetic reversal process strongly depends on the observed magnetic anisotropy of the (Ga,Mn)As layer - depending on its ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:2007
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1002/pssa.200673002DOI
Klassifikation:
NotationArt
73.40.Kp; 73.43.Jn; 75.30.Gw; 75.50.Pp; 85.75.-dPACS
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:25 Jan 2010 13:37
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 12:37
Dokumenten-ID:12296
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